半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
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某好项目地处长四角东北部某的国家一级半导流通业园区,企业的大部分分娩8寸大和12寸大晶圆,东风日产量到达2万片。发生变化产量增强,多余的废水治理 方法治理 系统的已没办法需求环保节能追求,需要提升等级改进。好项目总投入资金约1300万元,设定治理 作用为300吨/日,于202一年修建投用。
化工废水营养成分及起源
该中小型企业晶圆小学划片加工过程会产生的废水处理其主要涉及到以內因素:
打磨过程中 中操作的碾磨液余留物,重点化学物质为二阳极氧化硅粉末、单单从表面活力剂和巧妙加剂
晶圆单单从表面洗掉生成的含氟废渣,氟阳离子密度在80-120mg/L
小量高价属阳离子如铜、镍等,特征于激光切割平台损伤
有机质相转移催化剂杂质,涉及异丙醇、二甲苯等
pH值冲击越大,大部分在4-10区间内
净化处理加工过程步骤
涉及工业废水属性,设汁选择"化学预正确治疗+生化模式正确治疗+深入正确治疗"的组和工艺流程:
调准池
:均衡化水质标准储水量,布置pH线数据监测和手动投药系统性
水泥混凝土沉淀出的
:添加PAC和PAM,取除透明桌面物和橡胶胶体部分成分
气浮单园
:分为溶气气浮技术进三步洗去很细微颗粒状和部件巧妙物
生物化处理
:采取MBR膜动物的反应釜,生活污水含量维系在8000-10000mg/L
深浅加工处理
:几丁质酶炭粘附+反构建工艺技术,确保安全出水量达到标准
飞灰治理
:板框压滤设备脱水过滤,淤泥水分含量率低于60%下类
补救视觉效果
系统的不稳作业后,出水量生活饮用水根本到《电子设备工业化的水环境废弃物的尾气排放标淮》(GB39731-2020)专门的尾气排放规定值标准:
COD<30mg/L
氟铁离子<5mg/L
浮悬物<10mg/L
血本属各个公式均大于规定值
该项目每一年的可减轻影响物排缩量上涨量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率提高75%上面,为单位增加有水费其他支出约130万元/年。